RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2881
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link