RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2702
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link