RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3125
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link