RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
46
Autour de -31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3112
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link