RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3401
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link