RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3372
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link