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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3587
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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