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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
46
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3234
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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