RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3158
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link