RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3804
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link