RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2660
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link