RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
66
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
66
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1953
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link