RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2496
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link