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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2337
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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