RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3086
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link