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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1997
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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