RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2527
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link