RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
46
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2368
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link