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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
46
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3404
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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