RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2360
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link