RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
55
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
55
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2117
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link