RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2140
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link