RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
3200
Autour de 7.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
23400
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3758
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link