RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
71
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
71
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1902
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link