RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3552
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link