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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3890
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calculate
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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