RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
65
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
3510
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link