RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2919
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link