RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
65
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2965
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link