Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Note globale

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

48 65

Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.3 2,451.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 6400

Autour de 4 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

878 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns