RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
65
Autour de -91% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2938
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link