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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
65
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
44
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2523
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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