RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
65
Autour de -86% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2636
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link