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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
78
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
78
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
1816
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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