RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
65
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2503
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link