RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3837
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link