RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lenovo 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Lenovo 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Lenovo 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lenovo 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
65
Autour de -30% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lenovo 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
50
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2951
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Lenovo 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lenovo 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link