RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
65
Autour de -81% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2589
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link