RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
65
Autour de -282% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
17
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3528
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link