RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
4240
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link