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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
52
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,906.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
42
Vitesse de lecture, GB/s
4,672.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,906.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
698
2476
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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