RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2429
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HC5B-AC 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link