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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
61
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
61
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2028
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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