RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3215
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link