RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2772
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link