RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3712
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link