RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2263
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link