RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3286
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link