RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3038
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link