RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
36
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3429
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link